下一代記憶體規範DDR4早已在去年完成標準制定，但是DDR4面臨的最大問題是缺少處理器和晶片組支持，最快也要等到明年的Haswell-E處理器才能正式支援，廠商們也只能將DDR4首先推向伺服器市場。

三星此前已經試產了DDR4記憶體，日前他們宣佈將使用20nm工藝大規模量產DDR4記憶體。

　　三星使用20nm工藝的4Gb DDR4晶片量產16GB和32GB記憶體模組。三星表示20nm的4Gb晶片相比目前的DDR記憶體降低了30%能耗，同時速率達到了最快的2667Mb/s，是目前20nm DDR3記憶體的1.25倍。

 
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